KIST, 발광 효율 3배 높인 양자점 LED 개발
국내 연구진이 소재 양극을 치환한 구조를 이용해 발광 효율을 3배 이상 개선한 LED를 개발했다.
한국과학기술연구원(KIST·원장 이병권) 광전소재연구단 황도경 박사와 미래융합기술연구본부장실 최원국 박사팀은 고분자 물질과 산화아연(ZnO)을 이용해 양자점 LED 전극의 양음극이 치환된 구조로 제작, 발광 효율을 3배 이상 개선했다고 25일 밝혔다.
연구팀은 고분자 물질(PEIE)과 산화아연 나노입자 이중층을 이용해 소자 안정성과 발광 효율을 극대화한 ‘극치환 구조의 양자점 LED’를 개발했다.
기존 양자점 LED에서 양극으로 사용되는 산화주석인듐(ITO)에 PEIE를 코팅하고, PEIE와 효과적인 전자수송층 역할을 하는 산화아연 나노입자를 이중층으로 만들어 극치환 구조의 양자점 LED를 만들었다.
연구팀은 PEIE와 산화아연은 값싸고 친환경적인 물질로 대량 생산에 적합하고, 극치환 구조의 소자는 구동이 안정적이어서 디스플레이 수명연장에 효과적이라고 설명했다.
연구팀은 “양자점 LED 디스플레이는 현재 시연제품이 등장한 단계로 기존 디스플레이보다 색순도와 화질이 우수하다”며 “앞으로 5∼10년 내에 유기발광다이오드(OLED) 등을 대체하는 산업화가 가능할 것”이라고 말했다.
http://www.etnews.com/20150325000919
ETNews, 2015.03.25 |
